买卖IC网 >> 产品目录 >> SIZ916DT-T1-GE3 MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIZ916DT-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
SIZ916DT-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 16 A, 40 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 1.3 mOhms at 10 V
配置 Dual
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAIR 6 x 5
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIZ916DT-T1-GE3
SIZ918DT-T1-GE3
SIZ920DT-T1-GE3
SIZB60
SIZB60-4102
SJ124P5
供应商
公司名
电话
深圳市硅宇电子有限公司 13424293654 唐先生
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上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
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无锡固电半导体股份有限公司 15961889159 张小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491934(手机优先微信同号) 何芝
深圳市禧创科技有限公司 13509620153 罗双
  • SIZ916DT-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 3.394 3.394
    10 2.65 26.5
    100 2.318 231.8
    250 2.014 503.5
    3,000 1.102 3306
    6,000 0 0